Tensione di soglia di un Mosfet
di "PeSte"
il Thu, 12 Jul 2007 08:46:35 +0200
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Riporto fedelmente quanto dice il datasheet del componente che ho in esame.
Il discorso è ovviamente generale.
Parliamo della Vgs_th. I valori riportati sono 3.5<Vgs_th<5.5 [V]
Le condizioni sono Vgs=Vds, Id=350uA e Tj=25°C
Da questi dati deduco quanto segue:
"Se la Vgs<3.5V non passeranno più di 350uA pertanto se la Vds fosse
inotrno ai 350V avrei una potenza dissipata inferiore ai 122mW"
Ho trascurato la dipendenza di Id da Vds quando il MOS è in saturazione.
Funziona come ragionamento?
Ste
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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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